科研院所专用高温阻断测试系统
概述:
系统概述:
交流阻断(或反偏)耐久性试验是在一定温度下,对半导体器件施加阻断(或反偏)电压,按照规定的时间,从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。
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系统概述:
交流阻断(或反偏)耐久性试验是在一定温度下,对半导体器件施加阻断(或反偏)电压,按照规定的时间,从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。
一般情况下,此项试验是对器件在结温(Tjm ℃)和规定的交流阻断电压或反向偏置电压的两应力组合下,进行规定时间的试验,并根据抽样理论和失效判定依据,确认是否通过, 同时获取相关试验数据。
该系统符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、JEDEC标准试验要求。可供半导体器件配以适当的温度可控装置,作交流阻断(或反偏)耐久性/ 筛选试验。能满足IGBT进行高温反偏耐久性试验、高温漏电流测试(HTIR)和老炼筛选。
漏电流保护回路:
在每一试品试验回路中都配置有0.1A的保险丝,当试品在试验期内发生劣化或突然击穿或转折,保险丝将熔断,设备面板上的相应工位的氖灯点亮示警,同时蜂鸣器报警提示。
试验电压保护回路:
试验电压由衰减板衰减取样后反馈到控制单元,通过峰保器输出与电压设定值比较,当试验电压高于电压保护设定值时,过压报警器响,同时保护继电器动作切断高压输出。
高压回路:
由电源开关、控制继电器、自藕调压器、高压变压器、波形变换电路组成,产生规定的试验电压并通过组合高压线排,接入试品工位。
技术指标:
试验电压 |
VDRM.VRRM/VRRM 300V ~ 4000V 连续可调, 50HZ工频 |
试验电流 |
IDRM.IRRM/IRRM 1.0 mA ~200.0mA |
试验温度 |
温度范围:室温~150℃;温度均匀性125℃±3℃; |
试验工位 |
10工位 |
试验容量 |
80×16=1280位 |
加电方式 |
器件试验参数从器件库中导入,ATTM自动加电试验方式,可单通道操作;老化电源可根据设定试验电压和上电时间程控步进加载 |
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