大功率雪崩耐量测试系统 

概述： 系统概述： 半导体分立器件作为在电力电子行业中应用最为广泛的基础元件，其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能 够承受电路中的电
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电工仪器仪表 > 参数测试仪器
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雪崩耐量
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系统概述：

      半导体分立器件作为在电力电子行业中应用最为广泛的基础元件，其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能 够承受电路中的电流，满足一定的雪崩耐量。
      雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压 时的抗击穿能力。电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量。但是，一些电源在输 出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些 电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极大的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。 
      该测试系统主要用于 IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A，电压 4500V，雪崩能量可达 2000J。测试的电压和电 流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机经过处理后，将测试数据以 EXCEL 表格形式显示并进行最终 的编辑和打印,同时可观测雪崩波形。设备可满足各种封装形式的功率模块测试需求，并预留电压电流扩展功能。

功能指标：

配置

测试范围

测试参数

条件

范围

电压
1000V

IGBTs
绝缘栅双极型晶体管

EAS/单脉冲雪崩能量

VCE

20V～4500V

20~100V±3%±1V
100~1000V±3%±5V 
1000V~4500V±3%±10V

电流
200A

MOSFETs
MOS场效应管

EAR/重复脉冲雪崩能量

Ic

1mA～200A

1mA～100mA±3%±0.1mA
100mA～2A±3%±5mA 
2A～200A±3%±50mA


DIODEs
二极管

IAS/单脉冲雪崩电流

Ea

1J～2000J

1J～100J±3%±1J
100J～500J±3%±5J 
500J～2000J±3%±10J



PAS/单脉冲雪崩功率

IC检测

50mV/A（取决于传感器）




感性负载

10mH、20mH、40mH、80mH、100mH、




重复间隙时间

1~60s可调（步进1s） 重复次数：1~50次



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