IGBT功率半导体器件动态参数、静态参数测试，就选广电计量检测 

概述：功率器件在新能源汽车、智能电网等领域有广泛应用，其中，IGBT技术瓶颈不断被打破，第三代半导体功率器件也开始由实验室阶段步入商业应用。通常这些新型器件测试要求更高的电压和功率水平，更快的开关时间
本信息已过期，发布者可在"已发商机"里点击"重发"。

账户：
grgtest0601 [ 发私信 投诉 举报 安全交易指南 ]
刷新时间：
2021-04-26 10:01:24 点击37326次
分类：
认证/检测/评估 > 检测
标签：
参数测试 功率器件
服务区域：
全国
联系电话：
13808840060 李经理
QQ：
973853687
信用：4.0  隐性收费：4.0
描述：4.0  产品质量：4.0
物流：4.0  服务态度：4.0
默认4分 我要打分

IGBT功率半导体动态参数、静态参数测试


IGBT参数测试业务联系人：李经理 138 0884 0060

lisz@grgtest.com


功率器件在新能源汽车、智能电网等领域有广泛应用，其中，IGBT技术瓶颈不断被打破，第三代半导体功率器件也开始由实验室阶段步入商业应用。通常这些新型器件测试要求更高的电压和功率水平，更快的开关时间，对测试设备及人员技术要求高，在研发时间与成本的双重压力下，全参数测试成为不少制造商的难题。

解决方案

广电计量（GRGT）积极布局新型IGBT及第三代半导体功率器件的测试业务，引进国际先进的测试技术，为功率半导体产业上下游企业提供器件全参数检测服务。同时，广电计量通过构筑检测认证与分析一体化平台，为客户提供器件可靠性验证及失效分析，帮助客户分析失效机理，指导产品设计及工艺改进。

IGBT试验项目

静态参数：BVDSS IDSS、IGSSVGSth)、 RDS(on)、VvDSoni VSD、Rg、Cies、Coes、Cres、s、Vespl)

动态参数：td(on)、tr、tdof)、tf、Eon Eoff、tr、Qrr、Irm、dirr/dt、QG、QGC、QGE…

其他参数：Rth(j-c)、Unclamped Inductive Switching、RBSOA、SCSOR…

覆盖标准

·AEC-Q101分立器件认证

·MIL-STD-750半导体器件试验方法

·IEC60747系列Semiconductor Devices， Discrete Devices

·GB/T29332半导体器件-分立器件-第9部分∶绝缘棚双极晶体管（GBT）

·AQG324功率模块车规认证

 

 

参数

符号

范围

Input capacitance

Cies

100fF~1uF

Output capacitance

Coes

100fF~1uF

Reverse transfer capacitance

Cres

100fF~1uF

Total gate charge

QG

1nC~100uC

Gate-Emitter charge

QGC

1nC~100uC

Gate-Collector charge

QGE

1nC~100uC

Turn-on delay time

td(on)

10-10000ns

Rise time

tr

10-10000ns

Turn-off delay time

td(off)

10-10000ns

Fall time

tf

10-10000ns

参数

符号

范围

Turn-on energy

Eon

1-10000mJ

Turn-off energy

Eoff

1-10000mJ

Diode reverse recovery time

trr

10-10000ns

Diode reverse recovery charge

Qrr

MAX  10000nC

Diode peak reverse recovery current

Irrm

1A~2000A

Diode peak rate of fall of reverse

recovery current

dirr/dt

10-50000A/us

Reverse biased safe operating area

RBSOA

/

Short circuit safe operation area

SCSOA

MAX 5000A

 

[本信息来自于今日推荐网]