IC芯片环境可靠性、环境应力试验，HTOL、HAST&8203;&8203;、 

概述：HTOL、HAST​​、HTSL​试验
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2021-04-26 10:01:18 点击37122次
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认证/检测/评估 > 检测
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试验高温 广电计量
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芯片HTOL、HAST、HTSL试验


高温老化寿命试验(HTOL)

参考标准：JESD22-A108；

测试条件：

For devices containing NVM, endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.

Grade 0: +150℃ Ta for 1000 hours.

Grade 1: +125℃ Ta for 1000 hours.

Grade 2: +105℃ Ta for 1000 hours.

Grade 3: +  85℃ Ta for 1000 hours.

Vcc (max) at which dc and ac parametric are guaranteed. Thermal shut-down shall not occur during this test.

TEST before and after HTOL at room, hot, and cold temperature.

 

高加速应力试验(HAST)

参考标准：JESD22-A110；

测试条件：

Plastic Packaged Parts

Grade 0: +175℃ for 1000 hours or +150℃ for 2000 hours.

Grade 1: +150℃ for 1000 hours or +175℃ for   500 hours.

Grades 2 to 3: +125℃ for 1000 hours or +150℃ for   500 hours.

Ceramic Packaged Parts

    +250℃ for 10 hours or +200℃ for 72 hours.

TEST before and after HTSL at room and hot temperature.

* NOTE: Data from Test B3 (EDR) can be substituted for Test A6 (HTSL) if package and grade level requirements are met.

 

高温存储试验(HTSL)

参考标准：JESD22-A103 ；

测试条件：

Plastic Packaged Parts

Grade 0: +175℃ for 1000 hours or +150℃ for 2000 hours.

Grade 1: +150℃ for 1000 hours or +175℃ for   500 hours.

Grade 2 to 3: +125℃ for 1000 hours or +150℃ for   500 hours.

Ceramic Packaged Parts

    +250℃ for 10 hours or +200℃ for 72 hours.

TEST before and after HTSL at room and hot temperature.

* NOTE: Data from Test B3 (EDR) can be substituted for Test A6 (HTSL) if package and grade level requirements are met.

 

广州广电计量检测股份有限公司（GRGT）是原信息产业部电子602计量站，经过50余年的发展，现已成为一家全国化、综合性的国有第三方计量检测机构，专注于为客户提供计量、检测、认证以及技术咨询与培训等专业技术服务，在计量校准、可靠性与环境试验、元器件筛选与失效分析检测、车规元器件认证测试、电磁兼容检测等多个领域的技术能力及业务规模处于国内领先水平。

GRGT目前具有以下芯片相关测试能力及技术服务能力：

 

芯片可靠性验证 ( RA)：

芯片级预处理(PC) & MSL试验 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；

高温存储试验(HTSL), JESD22-A103 ；

温度循环试验(TC), JESD22-A104 ；

温湿度试验(TH / THB), JESD22-A101 ；

高加速应力试验(HTSL / HAST), JESD22-A110；

高温老化寿命试验(HTOL), JESD22-A108；

 

芯片静电测试 ( ESD)：

人体放电模式测试(HBM), JS001 ；

元器件充放电模式测试(CDM), JS002 ；

闩锁测试(LU), JESD78 ；

TLP；Surge / EOS / EFT；

 

芯片IC失效分析 ( FA)：

光学检查(VI/OM) ；

扫描电镜检查(FIB/SEM)

微光分析定位(EMMI/InGaAs)；

OBIRCH ；Micro-probe;

聚焦离子束微观分析(FIB)； 

弹坑试验(cratering) ；芯片开封(decap) ；

芯片去层(delayer)；晶格缺陷试验(化学法)；

PN结染色 / 码染色试验；

推拉力测试(WBP/WBS)；红墨水试验：

PCBA切片分析(X-section)；

 

芯片测试地点：广电计量-广州总部试验室、广电计量-上海浦东试验室。

芯片测试业务咨询及技术交流：

GRGT李工 138-0884-0060；

lisz@grgtest . com


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