陶瓷导热材料 硅胶导热导电材料 

概述:广州百科电子有限公司成立2017年,是一家专业生产加工电子,电器配件的生 产厂家,经过几年的不懈努力和不断创造,现已成立了两个事业部: 陶瓷导热材料事业部:99氧化铝导热陶瓷片, 96氧化铝陶瓷片,氧化铝
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.激光打孔加工氧化铝陶瓷片,切割划线加工陶瓷基板,抛光氧化铝陶瓷片

IGBT高导热陶瓷片 ,TO-220/TO-247/TO-264陶瓷散热片音响用陶瓷片

产品说明:氧化铝陶瓷片,用于散热,可以代替铝散热片,耐温高,热传导系数高。
用途:可用于大功率三极管,场效应管、稳压模块(LM78系列、LM317系列、三洋电源厚模、源厚模)、各种音频功放模块(TDA系列)、大功率可控硅模块(欧姆龙系列)、一体化整流模块。和其它电热元件的高温绝缘; 及大功率LED灯电路板散热绝缘

高效导热陶瓷基板和垫片, 导热效率高, 导热系数: 24W/M.K; 耐高温/耐高压, 受热均匀, 散热快; 结构简单紧凑, 体积小, 发热元件耐酸碱腐蚀, 经久耐用; 符合欧盟ROHS环保标准.

2.一般应用于: 高密度开关电源, 高频通讯设备, 电磁炉,专用发热设备等电子产品, 设备中.现给大家介绍高导热陶瓷垫片: 导热系数:20-30W/M.K, 耐压: 10KV, 耐温: 1000度, 厚度: 0.635, 0.8,1.0, 2.0, 3.0, 4.0mm; 尺寸: TO-220, TO-247, TO-254,TO-257,TO-258,TO-264, TO-3P; 非标尺寸可定做, 有SGS环保检测。

氮化铝陶瓷片,高热导氮化铝陶瓷板AIN 氮化铝金属化(HTCC) 氮化铝结构件

AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。化学组成 AI 65.81%,N 34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,单晶无色透明,常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)X10(-6)/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k),比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击好,能耐2200℃的极热。此外,氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性,特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。

性能指标

Ø(1)热导率高(约320W/m·K),接近BeO和SiC,是Al2O3的5倍以上;

Ø(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配;

Ø(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良;

Ø(4)机械性能好,抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷,可以常压烧结;

Ø(5)光传输特性好;

Ø(6)无毒;

2应用编辑

1、氮化铝粉末纯度高,粒径小,活性大,是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。

2、氮化铝陶瓷基片,热导率高,膨胀系数低,强度高,耐高温,耐化学腐蚀,电阻率高,介电损耗小,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。

3、氮化铝硬度高,超过传统氧化铝,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造价高,只能用于磨损严重的部位.

4、利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性,可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件,利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。

5、氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀,对酸稳定,但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。 利用此特性,可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好,可替代有毒性的氧化敏瓷在电子工业中广泛应用。

由于具有优良的热、电、力学性能。氮化铝陶瓷引起了国内外研究者的广泛关注,随着现代科学技术的飞速发展,对所用材料的性能提出了更高的要求。氮化铝陶瓷也必将在许多领域得到更为广泛的应用!虽然多年来通过许多研究者的不懈努力,在粉末的制备、成形、烧结等方面的研究均取得了长足进展。但就截止2013年4月而言,氮化铝的商品化程度并不高,这也是影响氮化铝陶瓷进一步发展的关键因素。为了促进氮化铝研究和应用的进一步发展,必须做好下面两个研究工作。研究低成本的粉末制备工艺和方法!制约氮化铝商品化的主要因素就是价格问题。若能以较低的成本制备出氮化铝粉末,将会大大提高其商品化程度!高温自蔓延法和低温碳热还原合成工艺是很有发展前景的粉末合成方法。二者具有低成本和适合大规模生产的特点!研究复杂形状的氮化铝陶瓷零部件的净近成形技术如注射成形技术等。它对充分发挥氮化铝的性能优势.拓宽它的应用范围具有重要意义!

氧化锆陶瓷片,抛光氧化锆 陶瓷绝缘粒

氧化锆是一种特殊的材料,增韧的方法,主要是利用氧化锆的相变才能达到的!

纯净的氧化锆是白色固体,含有杂质时会显现灰色或淡黄色,添加显色剂还可显示各种其它颜色。纯氧化锆的分子量为123.22,理论密度是5.89g/cm3,熔点为2715℃。通常含有少量的氧化铪,难以分离,但是对氧化锆的性能没有明显的影响。  

氧化锆有三种晶体形态:单斜、四方、立方晶相。

常温下氧化锆只以单斜相出现,加热到1200℃左右转变为四方相,加热到更高温度会转化为立方相。 

上述三种晶型存在于不同的温度范围,并可以相互转化:

高纯氧化铍陶瓷片,氧化铍陶瓷, 定做氧化铍陶瓷结构件

荧光物质使用,在第二次世界大战期间首次制造出高纯氧化铍陶瓷。1946年了解到氧化铍具有极高的导热系数。并且当时主要用在原子核装置中。直到50年代中期,氧化铍在电子学、测量仪器、通信和航天技术中出现应用。
氧化铍的熔化温度范围为2530℃~2570℃,其理论密度为3.02g/BeO作为绝缘材料始于1928年,不过直到1930年为止,BeO主要是混以其他材料作为㎝3,在真空中可在1800℃下长期使用,在惰性气体中可在2000℃下使用,在氧化气氛中1800℃才挥发。氧化铍陶瓷的最突出性能是导热系数大,与金属铝相近,是氧化铝6~10倍,是一种具有独特的电的、热的和机械性能的介质材料,没有其他任何材料显示出这样全面的综合性能。氧化铍与其他绝缘材料性能对比列于表1。
氧化铍陶瓷因其具有高导热系数、高熔度、强度、高绝缘、低电介常数、低介质损耗以及良好的封装工艺适应性等特点,在微波技术、电真空技术、核技术、微电子与光电子技术领域受到重视和应用,尤其是在大功率半导体器件、大功率集成电路、大功率微波真空器件及核反应堆中。

氧化铝耐磨陶瓷片,钢铁厂专用耐磨陶瓷片,水泥厂耐磨陶瓷片

氧化铝耐磨陶瓷片的特点:产品具有密度大、磨耗低、抗冲击、表面光滑、施工方便等特点,是钢铁厂、电厂、矿山等行业的物料输送设备的表面耐磨的材料,有效延长设备的使用周期;

氧化铝耐磨陶瓷片的使用范围:主要应用于煤炭、钢铁、矿山、火力发电厂等行业的设备耐磨内衬,特别适用于电厂输煤、输渣管道及矿山和码头的输料道、落料槽、螺旋管道、卸料机粉尘设备等磨损较大处。

氧化铝耐磨陶瓷片性能指标:

AL2O3(%)≥ 92  95

Fe2o3(%)≤0.25  0.2
体积密度(g/cm3) ≥ 3.60  3.65莫氏硬度 9  9

吸水率(%)≤ 0.02  0.02

磨耗(‰)≤0.15  0.10
常用氧化铝耐磨陶瓷片规格表:

厚度3-10mm有:10*10  15*15  17*17  17.5*17.5mm

厚度4-10mm有:20*20  24*24

有粘贴或不粘帖。

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