薄膜铂电阻 

概述: 薄膜铂电阻     薄膜铂电阻元件(德国Heraeus薄膜铂电阻温度传感器) 通过把金属铂研制成粉浆,采用感光平板印刷技术,将
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  • SOKE FEENEY/索克菲尼
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  • 薄膜铂电阻
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薄膜铂电阻

 

 

薄膜铂电阻元件(德国Heraeus薄膜铂电阻温度传感器)

通过把金属铂研制成粉浆,采用感光平板印刷技术,将铂层附着在陶瓷基片上形成铂膜层,膜厚在2μm以内,加上引线,保护秞经过激光调阻制造而成。

优点:薄膜铂电阻外形尺寸细小,抗震性强,长期稳定性好,自动化生产使其一致性好,热响应时间短,热容量低,复线性好。

薄膜铂电阻缺点:工作(采样)电流较小(1mA),自热较其它元件大。

薄膜铂电阻温度传感器基本值

   从-200℃至+600℃的基本值(符合DIN EN60751):

0℃和+100℃之间的平均温度系数:3.85×10-3 K-1

薄膜铂电阻温度传感器的基本值按照下列公式计算:

对于范围-200℃至0℃适用公式:

Rt=R0 [1+At+Bt2+C(t-100℃)t3 ]

对于范围0℃至850℃ 适用公式:Rt=R0(1+At+Bt2)

A 级允许误差:△tin℃=±(0.15+0.002∣t∣)

B 级允许误差:△tin℃=±(0.30+0.005∣t∣)

其中:

Rt   温度为t时的电阻,单位为:Ohm

R0   0℃时的标称电阻

t    温度单位为℃

A =3.9083×10-3-1

B =-5.775×10-7-2

C =-4.183×10-12-4

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薄膜铂电阻
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