BKT-2H(X)型薄膜材料磁电阻特性测试仪 

概述： BKT-2H(X)型薄膜材料磁电阻特性测试仪 BKT-2H(X)型薄膜材料磁电阻特性测试仪 关键词:半导体,磁电阻,薄膜测量,巨磁 一、仪器简介及原理 &nb
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2019-12-05 11:53:52 点击40383次
分类：
仪器仪表 > 专用仪器仪表
标签：
薄膜材料
服务区域：
北京
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010-60414386 谢伟华
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BKT-2H(X)型薄膜材料磁电阻特性测试仪

 

BKT-2H(X)型薄膜材料磁电阻特性测试仪

关键词: 半导体,磁电阻,薄膜测量,巨磁

一、仪器简介及原理
    用巨磁电阻和各向异性磁电阻磁性薄膜材料制作计算机硬盘读出磁头和各种弱磁传感器，已经广泛应用于信息技术、工业控制、航海航天导航等高新技术领域。该仪器选用高精度电阻测量专用仪表和数控扫描电源，外部连线简单直观，可连接计算机自动采集和显示数据，具有牢固可靠、操作简便等优点，非常适合于大专院校实验教学和科研使用.

二、仪器用途
    通过该仪器可以完成以下测试工作：
    (1)金属、半导体、导电高分子薄膜(或块体)电阻率的测量
    (2)金属薄膜材料电阻率的测量(最大厚度0.2毫米);金属块体材料电阻率的测量(最大厚度3毫米)
    (3)磁性合金薄膜的磁电阻测量
    (4)铁磁/非磁性/铁磁三层或多层薄膜的磁电阻测量
    (5)自旋阀型巨磁电阻薄膜、隧道结型巨磁电阻薄膜的磁电阻测量

   (6) 霍尔效应传感器, 各向异性磁电阻传感器, 巨磁电阻传感器, 隧道磁电阻传感器薄膜的磁电阻测量

三、技术指标

1、测试方式:探针组件
    2、系统主机:30A 
    3、直流数字电压表具有6位半字长，精度高
    4、自编的数据采集软件，操作界面友好

5、亥姆霍兹线圈:最大磁场强度400Oe,最大可以达到4000 Oe 无剩磁。

6、线圈电源:10A

    7、系统主机:30A

8、教学中AMR、GMR、TMR各类样品的磁电阻特性测试。

9、输入信号动态范围为±30 dB；

10、输出电平灵敏度为30mV / dB；

11、输出电流为8mA；转换速率为25 V /μs

12、相位测量范围为0~180°

 

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