进口可控硅N1802NS160 SD300C12CO N1588NS260 D1800N32K 

概述：进口可控硅N1802NS160 SD300C12CO N1588NS260 D1800N32K
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反向电压
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进口可控硅N1802NS160 SD300C12CO N1588NS260 D1800N32K当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，
形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，
p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，
产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。

 

D749N38K、
D749N40K、
D749N42K、
D749N44K、
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