IGBT
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富士IGBT模块2MBI150U4A-120 2MBI150U4H-120 6MBI150U4B-170
[中介]6MBI100U4B-170 6单元，100A/1700V
6MBI150U4B-170 6单元，150A/1700V
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富士IGBT模块2MBI200S-120 2MBI100PC-140 2MBI300P-140
[中介]1MBI300S-120 1单元，300A/1200V
1MBI400S-120 1单元，400A/1200V
2MBI75P-140 2单元，75A/1400V
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三菱IGBT模块CM2500DY-24S CM1800DY-34S 灿宏电子科技
[中介]采用CSTBTTM硅片技术的第6代IGBT 宽的安全工作区，杰出的短路鲁棒性 最优的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高结温可达175°C 新型无焊接Al基板，提供更高的温度循环能力（DTc）内部硅片分布均匀，Rth(j-
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三菱IGBT模块CM100RX-12A CM150RX-12A CM100MX-12A CM35MX-24A
[中介]采用最优化CSTBTTM硅片技术有CIB、7单元、2单元和1单元四种拓扑结构内部集成NTC测温电阻全系列共享同一封装平台耐功率循环和热循环能力强具有竞争力的性价比有条件接受客户定制
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三菱IGBT模块CM100TL-12NF CM150RL-12NF CM300DY-24NF CM200TL
[中介]采用低损耗CSTBTTM硅片技术 LPT结构用于1200V模块，更加适合于并联使用额定电流定义比市场上同类产品高一个等级外形尺寸与H系列IGBT完全兼容内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小通过调整底板和
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三菱IGBT模块 CM200DY-24A CM300DY-24A CM150DY-34A CM300DY-34
[中介]采用CSTBTTM硅片技术饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15% 成本优化的封装内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小模块
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三菱IGBT模块CM300DY-24S CM400C1Y-24S CM450DY-24S CM600DY-24S
[中介]采用第6代IGBT硅片技术，损耗低硅片结温可高达175°C 硅片运行温度最高可达150°C 内部集成NTC测温电阻封装兼容第五代A/NF系列模块
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