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三菱IGBT模块CM2500DY-24S CM1800DY-34S 灿宏电子科技
[中介]采用CSTBTTM硅片技术的第6代IGBT 宽的安全工作区，杰出的短路鲁棒性 最优的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高结温可达175°C 新型无焊接Al基板，提供更高的温度循环能力（DTc）内部硅片分布均匀，Rth(j-
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三菱IGBT模块CM100RX-12A CM150RX-12A CM100MX-12A CM35MX-24A
[中介]采用最优化CSTBTTM硅片技术有CIB、7单元、2单元和1单元四种拓扑结构内部集成NTC测温电阻全系列共享同一封装平台耐功率循环和热循环能力强具有竞争力的性价比有条件接受客户定制
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三菱IGBT模块CM100TL-12NF CM150RL-12NF CM300DY-24NF CM200TL
[中介]采用低损耗CSTBTTM硅片技术 LPT结构用于1200V模块，更加适合于并联使用额定电流定义比市场上同类产品高一个等级外形尺寸与H系列IGBT完全兼容内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小通过调整底板和
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三菱IGBT模块 CM200DY-24A CM300DY-24A CM150DY-34A CM300DY-34
[中介]采用CSTBTTM硅片技术饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15% 成本优化的封装内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小模块
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三菱IGBT模块CM300DY-24S CM400C1Y-24S CM450DY-24S CM600DY-24S
[中介]采用第6代IGBT硅片技术，损耗低硅片结温可高达175°C 硅片运行温度最高可达150°C 内部集成NTC测温电阻封装兼容第五代A/NF系列模块
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三菱IGBT模块CM100MXA-24S CM150DX-24S CM200DX-34S CM300DX-34S
[中介]采用第6代IGBT硅片技术，损耗低二极管采用第6代LPT硅片技术，正向导通压降低硅片结温可高达175°C 硅片运行温度最高可达150°C 内部集成NTC测温电阻全系列共享同一封装平台有条件接受客户定制
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三菱IGBT模块CM1400DUC-24NF CM900DUC-24NF CM1000DUC-34NF
[中介]最新的CSTBTTM硅片技术带来：杰出的短路鲁棒性 - 降低了栅极电容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的紧凑型封装良好的匹配液体冷却多孔型端子使得接触阻抗更低，实现更可靠的长期电气连接端子孔径与安装定位孔径一
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三菱IGBT模块CM100DC1-24NFM CM300DC1-24NFM CM150DC1-24NFM
[中介]采用CSTBTTM硅片技术，实现开关速度控制的最优化饱和压降低于业界同类产品续流二极管：超高速恢复特性，极低拖尾电流开关频率可达30kHz 模块内部寄生电感低
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三菱IGBT模块CM200DU-12NFH CM300DU-12NFH CM400DU-12NFH
[中介]采用CSTBTTM硅片技术，实现开关速度控制的最优化
饱和压降低于业界同类产品
续流二极管：超高速恢复特性，极低拖尾电流
开关频率可达60kHz
模块内部寄生电感低
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